【要旨】パナソニック株式会社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社は、従来の4倍※1となる大電流動作ができ、低立上り電圧[1]のため低電圧での動作にも対応するGaN[2]ダイオード[3]を開発しました。これは新たに低電圧で電気を流す部分と、高電圧に伴い大電流化された場合に電気が通る部分をそれぞれ別に備えたハイブリッド構造にすることで実現しました。【効果】大電流動作と低立上り電圧を実現したため、小さいチップ面積で大電流を取り扱えます。そのため、チップの容量を小さくし、スイッチング損失[4]を低減できるので、より高周波での動作が可能となります。この結果、大電力を扱う機器の省エネルギー化…
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