SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 Posted on 2024年7月26日 by denshilink Under:東芝 この記事の重要度 星をクリックして評価してください。 Submit Rating Average rating / 5. Vote count: 参照元 ← 東芝エレベータグループの2024年度技能競技大会を開催 フランスの量子技術領域特化型ベンチャーキャピタルファンドへの出資について →