トレンチゲート型SiC MOSFETの高効率化と長期信頼性を両立する技術を開発 Posted on 2026年9月30日 by denshilink Under:東芝 この記事の重要度 星をクリックして評価してください。 Submit Rating Average rating / 5. Vote count: 参照元 ← 「イビデン株式会社 統合報告書2026」の発行に関するお知らせ 新サービス「Fan Sync」を体験できるスマートフォン『Xperia 10 VIII』を発売 →